摘要：激光二极管包含单异质结（SH）、双异质结（DH）和量子阱（QW）激光二极管。量子阱激光二极管具有阈值电流低，输出功率高的长处，是目前市场使用的主流产品。
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体构成的p-n结，在其界面处两头构成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，因为p-n结两头载流子浓度差引起的分散电流和自建电场引起的漂移电流持平而处于电平衡状况。
当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的相互抑消效果使载流子的分散电流添加引起了正向电流。
当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场逐渐加强，构成在必定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。
当外加的反向电压高到某些特定的程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度到达临界值发生载流子的倍增进程，发生很多电子空穴对，发生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。
二极管最重要的特性便是单独向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。下面经过简略的试验阐明二极管的正向特性和反向特性。
在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种衔接方法，称为正向偏置。有必要阐明，当加在二极管两头的正向电压很小时，二极管依然不能导通，流过二极管的正向电流非常弱小。只有当正向电压到达某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）今后，二极管才干直正导通。导通后二极管两头的电压基本上坚持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。
在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此刻二极管中基本上没有电流流过，此刻二极管处于截止状况，这种衔接方法，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，依然会有弱小的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两头的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失掉单独向导电特性，这种状况称为二极管的击穿。激光二极管的注入电流有必要大于临界电流密度，才干满意居量回转条件而宣布激光。临界电流密度与接面温度有关，而且直接影响效益。高温操作时，临界电流进步，效益下降，乃至损坏组件。
