湖北日报讯（记者马文俊）8月19日从九峰山实验室得悉，实验室团队近来在磷化铟（InP）资料范畴获得重要技能打破，成功开宣布6英寸磷化铟（InP）基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延成长工艺，要害性能指标到达世界领先水平。这一效果也是国内初次在大尺度磷化铟资料制备范畴完成从中心配备到要害资料的国产化协同使用，为光电子器材工业化开展供给重要支撑。
作为光通讯、量子核算等范畴的中心资料，磷化铟（InP）资料的工业化使用长时间面对大尺度制备的技能瓶颈，业界干流停留在3英寸工艺阶段，昂扬的本钱使其不足以满意下流工业使用的爆发式增加。
九峰山实验室依托国产MOCVD设备与InP衬底技能，打破大尺度外延均匀性操控难题，初次开宣布6英寸磷化铟（InP）基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延成长工艺， 要害性能指标到达世界领先水平，为完成6英寸磷化铟（InP）光芯片的规模化制备打下根底。
在全球光电子工业快速地开展的布景下，光通讯、激光雷达、太赫兹通讯等范畴对磷化铟（InP）的需求出现爆发式增加。据Yole猜测，磷化铟（InP）光电子市场规模2027年将达56亿美元，年复合增加率（CAGR）达14%。6英寸磷化铟（InP）工艺的打破，有望推进国产光芯片本钱降至3英寸工艺的60%-70%，有助于增强国产光芯片市场竞争力。
九峰山实验室本次联合国内供应链完成全链路打破，对促进我国化合物半导体工业链协同开展有着重要影响，也为工业链自主可控奠定了根底。例如，九峰山实验室本次技能打破中6英寸磷化铟（InP）衬底合作方云南鑫耀的6英寸高品质磷化铟单晶片工业化要害技能已完成打破，量产在即。未来，实验室将继续优化6英寸InP外延渠道，推进下流产品验证，提高工业链自主可控才能，推进咱们国家光电子工业晋级。
