近来,中国科学院上海微体系与信息技能研究所蔡艳研究员团队与欧欣研究员团队协作,经过“全能离子刀”剥离搬运技能在六吋图形化SiN晶圆上集成了高质量的铌酸锂薄膜,并经过晶圆级工艺制备出具有高速数据传输才能的异质集成薄膜铌酸锂电光调制器。在该异质集成计划中,氮化硅与薄膜铌酸锂构成混合波导,铌酸锂薄膜无需刻蚀加工,简化了工艺流程。该作业不仅对全流程晶圆级制备硅光异质集成薄膜铌酸锂电光调制器进行了探究,而且为未来硅光渠道与薄膜铌酸锂进行晶圆级异质集成的量产奠定了必定根底。
近来,中国科学院上海微体系与信息技能研究所蔡艳研究员团队与欧欣研究员团队协作,经过“全能离子刀”剥离搬运技能在六吋图形化SiN晶圆上集成了高质量的铌酸锂薄膜,并经过晶圆级工艺制备出具有高速数据传输才能的异质集成薄膜铌酸锂电光调制器。在该异质集成计划中,氮化硅与薄膜铌酸锂构成混合波导,铌酸锂薄膜无需刻蚀加工,简化了工艺流程。该作业不仅对全流程晶圆级制备硅光异质集成薄膜铌酸锂电光调制器进行了探究,而且为未来硅光渠道与薄膜铌酸锂进行晶圆级异质集成的量产奠定了必定根底。